ધારો કે ફોટોઇમિશન થાય છે,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કયા અવયવ દ્વારા થાય છે?

ફોટોસેલ સર્કિટમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ એ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનું માપ છે. નીચેનો આલેખ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના પ્રાયોગિક રીતે માપેલા મૂલ્યો દર્શાવે છે. આલેખ પરથી નક્કી કર્યા મુજબ પ્લાન્કનો અચળાંક અને વર્ક ફંક્શનના મૂલ્યો છે (ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જનું મૂલ્ય $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$ લેતા):

$2.5 eV$ અને $3.5 eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન $1.5 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર $\lambda_{1}$ અને $\lambda_{2}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_{1}$ અને $E_{2}$ છે. પ્રકાશસંવેદી સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

$1 \,cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ઝિંક બોલને $-0.5 \,V$ ના સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. આ બોલને $290 \,nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા મોનોક્રોમેટિક અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. ઝિંક માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ $332 \,nm$ છે. અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશના લાંબા સમય સુધી સંપર્કમાં આવ્યા પછી બોલનું સ્થિતિમાન ............. $V$ હશે.

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો: